特点：
射频输出P1dB高，噪声系数低，杂散抑制高，变频增益高。
主要技术指标上变频通道：上变频通道：
中频输入电平：0±1dBm射频输出功率：1±1dBm
射频输出功率P-1dB：≥10dBm
发射功率可控：控制范围30dB,步进1dB;
精度±1.5 dB杂散抑制:≥70dBc
下变频通道：
对数输出：-20±1~0±1dBm 噪声系数：≤5dB镜频抑制：≥60dBc 收发隔离：≥60dB相位噪声：偏离中心频率 相位噪声：: 1kHz ≤-85dBc/Hz 10kHz ≤-90dBc/Hz 100kHz ≤-95dBc/Hz